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石墨烯导电浆料商家石墨烯掺杂技术的三种详细分析方法

石墨烯导电浆料商家石墨烯掺杂技术的三种详细分析方法

发布日期:2019-12-09 作者: 点击:

石墨烯导电浆料商家详细分析了三种石墨烯掺杂技术的方法。一。化学气相沉淀法(又称CVD法)。化学气相沉淀法,顾名思义,是利用化学气体进行反应,然后产品沉淀在基体上,制备出所需的物质。在石墨烯的掺杂过程中,采用这种方法可以大大提高效率。目前制备石墨烯薄膜的有效方法之一是CVD法。但是,如果在制备石墨烯的过程中加入掺杂原子,掺杂石墨烯的掺杂效率会更高。

以制备氮掺杂石墨烯为例。在用CVD法制备氮掺杂石墨烯的过程中,甲烷(CH4)和氨(NH3)被用于为特殊反应器中的高温氧化还原反应提供碳源和氮源。气态甲烷和氨气反应生成的碳在高温下也是气态的,遇上基质后会很薄地附着在基质表面。因为反应气体中有N个原子,所以它在反应中也起着重要的作用。

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在C原子在衬底上沉淀的过程中,由于N原子的数量不可忽略,它也会随着C原子一起沉淀在衬底上,所以最终在衬底上生成的材料是碳原子、碳原子混合膜,即我们要制备掺氮石墨烯膜。结果表明,该方法效率高,操作简便。但是,该设备技术要求高,需要一些高水平的设备才能准确地实现实验,而且成本也相当高。

2。离子注入。要使用这种方法,有必要制备石墨烯薄膜。因为这种方法是基于石墨烯薄膜的。这种方法的操作并不复杂,但需要一种高能离子注入设备。我们将制备好的石墨烯薄膜放入离子注入机中,然后利用离子注入机以高能粒子束的方式将杂质原子注入石墨烯薄膜中。

这种方法的原理不难理解。我们知道晶体表面有缺陷。所谓缺陷是指晶体表面原子的异常排列,如空位。而这种空位对掺杂是非常重要的,因为我们只是想在这些空位中“安装”杂质原子来填补这些空位,使充满空穴的晶体表面再次被填充,最终达到掺杂的目的。

三。氧化石墨烯掺杂方法。石墨烯导电浆料商家认为用这种方法制备的掺杂石墨烯是氧化石墨烯膜。然而,氧化石墨烯的制备比石墨烯更简单,成本更低,并且制备条件不需要高温和其他苛刻条件,可以在室温下进行(当然,所制备的氧化石墨烯溶液需要在高温下烘焙成膜,但温度远高于石墨烯)。当我们有氧化石墨烯膜时,可以将膜和一些氮化合物如尿素或三聚氰胺放入相应的反应器中进行高温反应。



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关键词:石墨烯导电浆料

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