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三种方法石墨烯导电浆料商家掺杂石墨烯的详细分析

三种方法石墨烯导电浆料商家掺杂石墨烯的详细分析

发布日期:2019-12-09 作者: 点击:

掺杂石墨烯石墨烯导电浆料商家的三种方法进行详细的分析。 1,一种化学汽相沉积法(也称为CVD法)。化学气相沉积,根据定义,通过化学反应的气体,将产物进行再沉淀在基片上后,以产生期望的材料。在掺杂工艺的石墨烯,如果该方法中,可以大大提高工作效率。因为制备的石墨烯膜的有效方法的一个目前由CVD方法制备,但是,如果我们在制备石墨烯的掺杂原子的的过程中添加,从而产生了掺杂的石墨烯掺杂效率会更高。

取,例如,它的氮掺杂的石墨烯的制备方法。当使用氮掺杂的CVD石墨烯,使用甲烷(CH 4)和氨(NH 3),以提供在一个特殊的反应器的碳源和氮源在高温的氧化还原反应来制备。在气态状态下的高温的反应C中后产生的气态氨和甲烷,遇到衬底之后将被薄薄地附着于衬底表面,由于存在反应气体中N原子的反应,其中也有非常大的角色。

在上的方式在基板的沉淀个C原子的,因为N原子的数目不能被忽略,将一起与C原子到基底析出,从而使基体材料上产生的最终的是碳原子,的碳原子的混合膜,即,我们希望制备氮掺杂的石墨烯膜。我们可以看到,它在这种方式准备了高效率,而且操作也不是很困难的。但即使是设备技术要求较高,需要以达到准确和正确的实验的高级别装备相应的数量,成本相当高。

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2,离子注入法。使用此方法,提供已经具有制备石墨烯的膜。由于这种方法是基于石墨烯膜来实现的。该方法的操作不是很复杂的,但需要高能量离子注入装置。我们制备石墨烯膜进入离子注入机,然后使用以期望的方式高能粒子束并入离子注入杂质原子注入到所述石墨烯薄膜。

这种方法的原理其实不难理解。我们知道,在晶体表面缺陷。通过缺陷的原子在晶体表面被布置异常序列,诸如空位和类似物。而对于兴奋剂的位置,空缺是非常重要的,因为我们要杂质原子“安装”,以填补由于这些空缺的职位空缺,所以全是全空的晶面已经最后填补,我们完成了目标的掺杂。

3,氧化石墨烯掺杂。 石墨烯导电浆料商家的是,使用所制备的掺杂的石墨烯是必要的,以制备氧化石墨烯膜。的氧化石墨烯制备应该制备简单且耗时比石墨烯并不大,并制备条件不高温度的苛刻条件或类似物,在室温下可以进行(当然,在端部被稍微升高的温度石墨烯氧化物制备烘烤该膜形成溶液,但温度高得多的制动石墨烯)。如果有石墨烯氧化物薄膜(我们仍然氮掺杂的石墨烯作为一个例子)的膜,并且可以是一些化合物如尿素,三聚氰胺或类似入炉内高温反应,合适的反应含氮。


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关键词:墨烯导电浆料

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